主としてアルゴンイオンをターゲットに衝突させ、ターゲット表面からはじき出されたスパッタ原子を基板に付着させて薄膜を形成する装置です。RFスパッタにより、ターゲットは金属、絶縁物のいずれも可能です。マグネトロン方式のため、高スパッタ速度、低電圧、低ガス圧での製膜ができます。詳しくはパンフレットをご覧ください。
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主としてアルゴンイオンをターゲットに衝突させ、ターゲット表面からはじき出されたスパッタ原子を基板に付着させて薄膜を形成する装置です。RFスパッタにより、ターゲットは金属、絶縁物のいずれも可能です。マグネトロン方式のため、高スパッタ速度、低電圧、低ガス圧での製膜ができます。詳しくはパンフレットをご覧ください。