名称等分子線エピタキシー装置 設備分類薄膜技術
製造元エイコー・エンジニアリング 仕様・品質等EW-100S
用途等

 原子一層の堆積を制御し、高品位の超格子・規則格子薄膜や磁気・半導体デバイス用薄膜を作製するための装置。

詳細仕様

エフュージョンセル:2基、電子ビーム:4基、基板最大加熱温度:800℃、到達真空度:3×10-8Pa、RHEED装備
基板:1インチ角、0.5mm厚

使用料4,870(円/時間) 導入年度平成17年度
設置場所高度技術研究館 1F:CR薄膜作製409 主担当者名鈴木 淑男