名称等分子線エピタキシー装置 設備分類薄膜技術
製造元エイコー・エンジニアリング 仕様・品質等EW-100S
用途等

　原子一層の堆積を制御し、高品位の超格子・規則格子薄膜や磁気・半導体デバイス用薄膜を作製するための装置。
詳細仕様

エフュージョンセル：２基、電子ビーム：４基、基板最大加熱温度：800℃、到達真空度：3×10-8Pa、RHEED装備
基板：1インチ角、0.5mm厚
使用料4,870（円／時間） 導入年度平成17年度
設置場所高度技術研究館　1F:ＣＲ薄膜作製409 主担当者名鈴木 淑男