名称等 | イオンビームガン | 設備分類 | 加工技術(表面処理改質) |
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製造元 | アリオス | 仕様・品質等 | EMIS-212 |
用途等 | イオンビームを薄膜作製前の基板に照射し、薄膜の密着性向上などの表面活性化や、作製した薄膜に照射し酸化・窒化など薄膜の改質を行う装置。 |
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詳細仕様 | ECRイオンガン(2.45 GHz)、Arなどの不活性イオン種、N2, O2などの活性イオン種が使用可能、イオン電流密度 >1.5 mA/cm2、有効ビーム径 >φ50mm |
使用料 | 440(円/時間) | 導入年度 | 平成17年度 |
設置場所 | 高度技術研究館 1F:CR薄膜作製409 | 主担当者名 | 内田 勝 |