名称等イオンビームガン 設備分類加工技術(表面処理改質)
製造元アリオス 仕様・品質等EMIS-212
用途等

 イオンビームを薄膜作製前の基板に照射し、薄膜の密着性向上などの表面活性化や、作製した薄膜に照射し酸化・窒化など薄膜の改質を行う装置。

詳細仕様

ECRイオンガン(2.45 GHz)、Arなどの不活性イオン種、N2, O2などの活性イオン種が使用可能、イオン電流密度 >1.5 mA/cm2、有効ビーム径 >φ50mm

使用料440(円/時間) 導入年度平成17年度
設置場所高度技術研究館 1F:CR薄膜作製409 主担当者名内田 勝   
担当部署電子光応用開発部 オプトエレクトロニクスGr 副担当者名