名称等スパッタ・蒸着複合装置 設備分類薄膜技術
製造元トッキ 仕様・品質等SPS506
用途等

スパッタリング方式と蒸着方式の両方で成膜

詳細仕様

カソード:φ4インチプレーナマグネトロン方式、スパッタアップ6基(EB蒸発源:出力10Kw)、基板加熱:スパッタホルダ 600℃,蒸着ホルダ 300℃、排気時間:10-4Pa台まで10分以内、到達圧力1×10-5Pa
成膜用基板の大きさ:1インチ角

使用料3,980(円/時間) 導入年度平成7年度
設置場所高度技術研究館 1F:CR薄膜作製409 主担当者名鈴木 淑男   
担当部署先端機能素子開発部 スピン・ナノデバイスGr 副担当者名