名称等 | イオンミリング装置 | 設備分類 | 加工技術(表面処理改質) |
---|---|---|---|
製造元 | コモンウェルス | 仕様・品質等 | ミラトロンⅣ |
用途等 | アルゴンイオンによる表面の微細加工 |
||
詳細仕様 | ビーム径:φ4″、基板サイズ:最大φ3″、加速電圧:200から2,000V、最大ビーム電流:250mA |
使用料 | 1,940(円/時間) | 導入年度 | 平成4年度 |
設置場所 | 高度技術研究館 1F:CR薄膜作製410 | 主担当者名 | 田口 香 |
担当部署 | 上席研究員 | 副担当者名 | 鈴木 淑男 |
名称等 | イオンミリング装置 | 設備分類 | 加工技術(表面処理改質) |
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製造元 | コモンウェルス | 仕様・品質等 | ミラトロンⅣ |
用途等 | アルゴンイオンによる表面の微細加工 |
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詳細仕様 | ビーム径:φ4″、基板サイズ:最大φ3″、加速電圧:200から2,000V、最大ビーム電流:250mA |
使用料 | 1,940(円/時間) | 導入年度 | 平成4年度 |
設置場所 | 高度技術研究館 1F:CR薄膜作製410 | 主担当者名 | 田口 香 |
担当部署 | 上席研究員 | 副担当者名 | 鈴木 淑男 |